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采用PQFN封装的20V25V及30VMOSFETIR万芳

发布时间:2020-02-14 11:01:23 阅读: 来源:染色机厂家

采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET(IR)

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是专为DC开关应用设计的,例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF具有极低的RDS(on),最高只有1.15m ,且栅极电荷 (Qg) 仅为52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4m ,Qg 达到了 50nC。

如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件,不仅能够实现卓越的热性能,还可以根据给定的功率损耗要求,比现有解决方案使用更少的元件,节省电路板空间及成本。

所有这些新器件均具有低热阻 ( 0.5°C/W),并达到一级湿敏 (MSL1) 工业合格水平,也不含铅、溴化物和卤素,且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

IRFH6200TRPbF产品规格

器件编号

封装

电压

最大Vgs

Rdson max @Vgs=4.5

Rdson max @Vgs=2.5

Id @ Tc=25

IRFH6200TRPbF

PQFN 5x6mm

20 V

±12V

1.2 m

1.4 m

100 A

IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF产品规格

器件编号

封装

电压

Rdson max @Vgs=10

Rdson max @Vgs=4.5

Qg typ @Vgs=4.5

Id @ Tc=25

IRFH5250TRPbF

PQFN 5x6mm

25 V

1.15 m

1.7 m

52 nC

100 A

IRFH5300TRPbF

PQFN 5x6mm

30 V

1.4 m

2.1 m

50 nC

100 A

IRFH5301TRPbF

PQFN 5x6mm

30 V

1.85 m

2.9 m

37 nC

100 A

IRFH5302TRPbF

PQFN 5x6mm

30 V

2.1 m

3.5 m

29 nC

100 A

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